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華為出手第三代半導體材料 性能實現(xiàn)千倍提升

2019-08-26 09:14:07 太陽能發(fā)電網(wǎng)
e公司訊,華為4月成立的哈勃科技投資有限公司,近日投資了山東天岳先進材料科技有限公司,持股10%。山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業(yè)。碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料,綜合性能較硅材料可提升上千倍,被譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”。

 

e公司訊,華為4月成立的哈勃科技投資有限公司,近日投資了山東天岳先進材料科技有限公司,持股10%。山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業(yè)。碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料,綜合性能較硅材料可提升上千倍,被譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”。



作者: 來源:e公司 責任編輯:jianping

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