大家可以看到，三年之后，我們?cè)诟咝Ф嗑У哪繕?biāo)是做到22%的平均量產(chǎn)水平。說完高效多晶的情況，可以進(jìn)入到今天的主要話題，鑫單晶在協(xié)鑫集成目前的發(fā)展情況。

鑫單晶主要想介紹三個(gè)層面：電池、組件以及光衰進(jìn)展情況。我們可以看到在第一個(gè)階段大概170萬片的結(jié)果，最開始采用了5BB的工藝，平均效率在21.2%到21.3%左右，同時(shí)組件檔位功率應(yīng)該是在305瓦左右的水平。在這樣一個(gè)鑫單晶的概念上，我們疊加了多主柵，這樣的工藝是可以做到接近22%的水平。

大家可以看到，鑫單晶要真正達(dá)到量產(chǎn)，主要有五個(gè)問題：第一是成本，第二是拖尾，第三是外觀的問題，第四個(gè)是LeTID，最后是三類片的質(zhì)量問題。左邊這個(gè)圖灰色的框框，可以看到拖尾的問題影響平均效率。同時(shí)可以看到，包括研發(fā)的平均量產(chǎn)效率可以做到22%的水平。

鑫單晶基本上是采用單晶高效電池的工藝，但三類片采用濕法黑硅工藝可以比較完美解決表面的外觀問題�？梢钥吹�，目前三類片的效率不到21%，這只是第一階段的結(jié)果，2019年三類片的平均效率也可以到21%。

再看一下EL的問題，第一階段紅色的圓圈一些缺陷造成了效率偏低的情況，但是這些沒問題，我們通過第二、第三階段可以看到比較明顯的改善。

第一階段在硅片端采取了一些主要的改進(jìn)措施。大家可以看到第二階段投入的量增加到300萬片以上，同時(shí)電池工藝上主要采用多主柵來替代第一階段5BB的工藝。同時(shí)在硅片端，通過自動(dòng)分選等一些工藝改善，在第二階段后期平均的效率可以達(dá)到21.8%的量產(chǎn)效率，采取的主要措施在硅片端，一個(gè)是分選，一個(gè)是工藝。