多晶PERC電池在暗退火處理(如150oC，10小時(shí))時(shí)可發(fā)生類似的衰減行為，研究者認(rèn)為該過程與LeTID有相同的機(jī)理，因此可以通過研究暗退火過程以確定LeTID的根本原理。UNSW發(fā)現(xiàn)P型Cz單晶硅、Fz單晶硅以及N型硅在暗退火后也會(huì)發(fā)生衰減(考慮到暗退火條件并不見于戶外應(yīng)用，沒有必要因此擔(dān)心單晶PERC技術(shù)的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用)。UNSW發(fā)現(xiàn)了LeTID與氫的相關(guān)性；M. A. Jensen認(rèn)為LeTID是氫與硅片中的一種和幾種缺陷共同作用導(dǎo)致的(Evaluating root cause: The distinct roles of hydrogen and firing in activating light andelevated temperature-induced degradation，2018)；Kenta Nakayashiki認(rèn)為根本原因可能是兩個(gè)：1氫和深能級施主缺陷共同形成的點(diǎn)缺陷；2含Cu復(fù)合缺陷的構(gòu)型變化(Engineering Solutions and Root-Cause Analysis for Light-Induced Degradation in p-Type Multicrystalline Silicon PERC Modules, 2016)；Mallory A. Jensen則發(fā)現(xiàn)雜質(zhì)元素Cu和Ni在LeTID過程中起著關(guān)鍵作用 (Solubility and Diffusivity: Important Metrics in the Search for the Root Cause of Light and Elevated Temperature-Induced Degradation, 2018)

總之，多晶PERC的LID(或稱LeTID)的根本原因仍沒有定論，考慮到各研究者都有實(shí)驗(yàn)依據(jù)，光衰很可能是多種因素共同作用導(dǎo)致的。對于產(chǎn)業(yè)化的解決上，多晶PERC生產(chǎn)商需要做的包括嚴(yán)控多晶硅片質(zhì)量(采用高品質(zhì)硅料)，長時(shí)間‘再生’處理以及嚴(yán)控電池出廠光衰測試(75oC測試，提高抽測頻次)�？紤]到18年下半年多晶硅片處于虧本銷售的情況，差的硅料、回料很可能被用到，質(zhì)量相對較差的硅片制成的多晶PERC組件在系統(tǒng)中存在較高的潛在風(fēng)險(xiǎn)。

目前晶硅電池LeTID的測試標(biāo)準(zhǔn)正在討論中，對于多晶PERC的光衰管控只有出廠測試才有意義，僅僅看第三方的送樣測試結(jié)果的參考價(jià)值不大，一方面多晶硅片來自鑄錠不同位置，硅片內(nèi)部缺陷的情況有不同；另一方面單片電池/組件是可以通過特殊處理做到低光衰的。

4.總結(jié)

A.P型PERC電池的光衰明顯高于常規(guī)BSF電池，因此需要進(jìn)行“再生”處理；

B.單晶PERC電池的光衰以“B-O”光衰為主，原理上可通過光注入、電注入及摻Ga來解決，但對制造商技術(shù)水平提出更高要求，投資者需選擇可靠供應(yīng)商。

C.多晶PERC電池的光衰機(jī)理復(fù)雜，也會(huì)發(fā)生“再生”過程但耗時(shí)很久，產(chǎn)業(yè)化需要使用高品質(zhì)硅片并加強(qiáng)電池的出廠光衰管控。